富士的SiC器件具有出色的特性，能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。

特长

搭载SiC-SBD的IGBT混合模块V系列

适用高性能芯片

低损耗的V系列IGBT

低损耗的SiC-SBD

兼容旧款Si-IGBT模块产品封装

SiC肖特基势垒二极管

高速开关损耗特性

高频工作电源、系统的小型轻量化

低VF特性

低IR特性

Tj=175°C、电源可在高温下动作、低损耗、高效率

高反向浪涌耐量

SiC混合模块

SiC肖特基势垒二极管