IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，是一种门极部分的构造与MOSFET相同，且拥有通过氧化物绝缘膜实现绝缘的门极部分的电压控制型设备。可同时发挥MOSFET和双极型晶体管的优势，对于使用高电压及大电流的电力转换电路而言是一种不可或缺的设备。主要用于空调和微波炉等民用设备、电梯等工业设备、HEV及EV的变频器等。